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更多“在硅或锗中如果同时存在施主和受主杂质时，将相互补偿。()”相关的问题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差
B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体
C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体
D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体
在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3，及Eg=0. 76eV,求温度为300K和500K时，含施主浓度ND=5x1015cm-3，受主浓度NA=2x 109cm-3,的锗中电子及空穴浓度为多少？
A.本征半导体中掺入施主杂质
B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度
C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度小于受主浓度
D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度
E.本征半导体中掺入受主杂质
下表所列，试判别晶体管的三个电极及类型(硅管，锗管，NPN型管，PNP型管)。
