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A、用碳化硅磨除非贵金属基底金一瓷结合面的氧化物
B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B、用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形
D、禁止使用橡皮轮磨光
E、用50～100μm的氧化铝喷砂
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm
A.用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物
B.用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C.打磨时用细砂针多方均匀的打磨出金瓷结合部要求的外形
D.禁止使用橡皮轮磨光
E.用50～100pm的氧化铝喷砂
A.去除铸造过程中形成的氧化膜
B.去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物
C.排除合金中残留的气体
D.避免瓷熔附时出现气泡
E.在基底表面形成氧化膜
A.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm
B.机械性的结合力起最大的作用
C.贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mm
D.贵金属合金上瓷前需预氧化
E.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度
金瓷结合中，不属于界面润湿性因素的是
A、金属表面不洁物质的污染
B、金属表面有害物质的污染
C、金属基底冠表面喷砂处理不当
D、金-瓷结合面除气预氧化不正确
E、环境因素的影响
A．0.1mm
B．0.2mm
C．0.3mm
D．0.5mm
E．1.0mm
1．铸造金属全冠 面磨除的厚度至少为
2．金属烤瓷冠的基底冠厚度至少为
3．金属烤瓷冠不透明瓷厚度一般为
4．3/4冠邻轴沟的深度为
5．钉洞固位形的直径一般为
6．塑料全冠的肩台宽度至少为
7．铸造金属全冠凹形边缘的宽度为
8．金属烤瓷冠金属舌侧龈边缘的宽度般为
关于PFM冠金瓷结合机制，不正确的是
A、化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分
B、金属－瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合
C、基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利
D、金瓷结合界面间存在分子间力
E、贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化
