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[判断题]

高频静电感应晶体管（SIT)比绝缘栅双极型晶体管（IGBT)适用的频率更高。（)

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更多“高频静电感应晶体管(SIT)比绝缘栅双极型晶体管(IGBT)…”相关的问题

第1题

下面哪种器件属于常用的三端器件？它具有栅极G、集电极C和发射极E，它综合了GTR和Power－MOSFET的优点。（)

A.绝缘栅双极晶体管

B.门极可关断晶闸管

C.静电感应晶体管

D.集成门极换流晶闸管

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第2题

绝缘栅双极型晶体管属于电流控制元件。（)

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第3题

“IGBT”这个英文简称指的是（)。

A.双极型晶体管

B.绝缘栅双极型晶体管

C.可关断晶体管

D.以上说法均不准确

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第4题

绝缘栅双极型晶体管是用什么与集电极复合而成？

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第5题

EV200驱动电机控制器由以IGBT（绝缘栅双极型晶体管)模块为核心的智能功率模块组成。（)

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第6题

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。（)

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第7题

对于双极型晶体管，共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。（)

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第8题

阻容藕合放大电路加入不同频率的输入信号时，高频区电压增益下降的原因是由于存在（)。

A.耦合和旁路电容

B.晶体管的极间和分布电容

C.晶体管的非线性特性

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第9题

绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（)。

A.集电极

B.栅极

C.发射极

D.门极

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第10题

MOS管的栅极可与双极型栅极的（)相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第11题

常用的电力电子器件有：()。

常用的电力电子器件有：（)。

A.双极晶体管

B.绝缘栅双极晶体管

C.电力MOS场效应管

D.门极关断晶闸管

E.场控晶闸管

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