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已知TTL与非门的IOL=15mA(灌电流),IOH=400μA(拉电流),UOH=3.6V,UOL=0.3V;发光二极管正向导通电压UD=2V,正向电流ID=5~10mA:三极管导通时UBE=0.7V,饱和压降UCES=0.3V,β=50.求图2.16所示两个发光二极管驱动电路中R及RB的取值范围(不必规范化).
A.0.6kΩ
B.0.85kΩ
C.1.47kΩ
D.2.5kΩ
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
放大电路如图所示，已知工作频率
，回路电感
，空载品质因数
，匝数比分别为
，
；晶体管工作点电流
，
，
；负载
且为纯电阻性。试求放大器的谐振电压增益和通频带。
在如图所示三相电路中，已知Za=(3+j4)Ω，Zb=(8-j6)Ω，电源线电压为380V，求电路的总有功功率、无功功率和视在功率以及从电源取用的电流。
图4-7所示RLC电路t=0时开关S闭合,求电流i(1).(已知
)
试求电流i。
