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题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

材料受扭转作用破坏时,低碳钢是由()破坏,铸铁是由()破坏。

A.剪应力

B.压应力

C.拉应力

D.弯曲应力

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第1题
栓剂的特点不包括() 查看材料A.可避免药物受胃肠道pH

栓剂的特点不包括() 查看材料

A.可避免药物受胃肠道pH和酶的破坏

B.在腔道局部起治疗作用

C.药物大部分不受肝脏的首过作用破坏

D.经腔道吸收发挥全身治疗作用

E.栓剂只有局部作用

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第2题
直径d=50mm的圆轴,两端受M=1KN,m的外力偶距的作用而扭转,材料剪切模量G=80GPa,试求:(1)如图所示横截面半径为 处的切应力是()Mpa(取整数)

直径d=50mm的圆轴,两端受M=1KN,m的外力偶距的作用而扭转,材料剪切模量G=80GPa,试求:(1)如图所示横截面半径为处的切应力是()Mpa(取整数) 。

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第3题
栓剂的特点不包括()。

A.在腔道局部起治疗作用

B.可避免药物在受胃肠道pH和酶的破坏

C.药物可不受肝首过作用的破坏

D.经腔道吸收发挥全身治疗作用

E.载药量较大

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第4题
以下关于杂质的描述正确的是()。
A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场,引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用

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第5题
以下有关栓剂的叙述,正确的是()。

A.只在肠道起局部治疗作用

B.适于不宜或不愿口服给药病人的用药

C.药物受肝脏首过作用影响小

D.可避免刺激性药物对胃黏膜的刺激

E.药物不受胃肠道酶的破坏

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第6题
低碳钢的破坏发生在拉伸过程中的()阶段。

A.弹性

B.屈服

C.强化

D.颈缩

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第7题
蛋白质变性时受理化因素破坏的化学键是

A.离子键

B.二硫键

C.肽键

D.氢键

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第8题
由胃体部壁细胞分泌,且能破坏胃黏膜屏障作用造成消化性溃疡的是A.B.C.D.E.

由胃体部壁细胞分泌,且能破坏胃黏膜屏障作用造成消化性溃疡的是E.

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第9题
铸铁试件扭转破坏是()。

A.沿横截拉断

B.沿横截剪断

C.沿45度螺旋面拉断

D.沿45度螺旋面剪断

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第10题
根据下面选项,回答题:A.肠溶片 B.分散片 C.泡腾片 D.舌下 E.缓释片 能够避免药

根据下面选项,回答题:

A.肠溶片

B.分散片

C.泡腾片

D.舌下

E.缓释片

能够避免药物受胃肠液及酶的破坏而迅速起效的片剂是

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第11题
由胃体部壁细胞分泌,且能破坏胃黏膜屏障作用造成消化性溃疡的是()。

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