A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
在检查培养的细胞生长状况时,通常使用的显微镜是
A、普通光学显微镜
B、暗视野显微镜
C、倒置显微镜
D、相位差显微镜
E、电子显微镜
在使用显微镜时,如果目镜是10倍,物镜是45倍,那么显微镜放大的倍为数()。
A.10倍
B.45倍
C.55倍
D.450倍
在使用显微镜时,如果目镜是10倍,物镜是45倍,寻么显微镜放大的伴倍数为()。
A.10倍
B.45倍
C.55倍
D.450倍