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若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度
A、高20～30℃
B、高10～20℃
C、高10℃以内
D、低10℃以内
E、低10～20℃
上釉的烧结温度是()。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
上釉的烧结温度是
A．低于体瓷温度5℃
B．低于体瓷温度10℃
C．低于体瓷温度20℃
D．高于体瓷温度5℃
E．高于体瓷温度10℃
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6～8℃
C、低于体瓷烧结温度10～20℃
D、高于体瓷烧结温度6～8℃
E、高于体瓷烧结温度10～20℃
用釉粉上釉的烧结温度是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
PFM冠体瓷烧结起始温度过低，升温速度过慢会出现
A、牙冠变形
B、颜色变亮
C、颜色变暗
D、瓷内气泡
E、透明度增加
A.体瓷堆筑过多
B.透明瓷堆筑过多
C.透明瓷堆筑过少
D.瓷粉烧结温度过低
E.真空度不够
