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更多“考虑由负载电阻串联NMOS构成的倒相器，要减小该倒相器的功耗…”相关的问题
A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
(单位延时)
(倒相器)
试求总的系统的冲激响应h(t).
A.串联后每个电阻两端的电压减少到1/N，每个电阻的耗电功率减少到1/ N^2
B. 串联后每个电阻两端的电压减少到1/N，每个电阻的耗电功率减少到1/N
C. 串联后每个电阻两端的电压不变，每个电阻的耗电功率减少到1/N
D. 串联后每个电阻两端的电压增加到N倍，每个电阻的耗电功率增加到N^2倍
A.如果三相负载每相负载的电阻相等，电抗也相等，而且性质不相同，这种负载便称为三相对称负载
B.如果三相负载每相负载的电阻相等，电抗不相等，而且性质不相同，这种负载便称为三相对称负载
C.如果三相负载每相负载的电阻不相等，电抗相等，而且性质相同，这种负载便称为三相对称负载
D.如果三相负载每相负载的电阻相等，电抗相等，而且性质相同，这种负载便称为三相对称负载
相同,
,试指出各管工作区及其V0值.
