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A.正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡
B.烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃
C.烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外
D.烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊
E.烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温
烤瓷合金的熔点应高于瓷烧结温度为
A、50～100℃
B、170～270℃
C、400℃以上
D、110～150℃
E、280～370℃
气相色谱法的进样口温度应高于柱温
A.30～50℃
B.20～50℃
C.10～30℃
D.10～50℃
E.50～100℃
