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更多“VolTE呼叫建立时延除了覆盖、干扰等常见影响外，网络侧的寻…”相关的问题
A.MOS值
B.附着成功率
C.VoLTE呼叫接通率
D.eSRVCC切换成功率
A.VoLTE呼叫接通率
B.VoLTE端到端呼叫时延
C.eSRVCC切换成功率
D.MOS3.0以上占比
E.VoLTE注册成功率
A.由IMS提供呼叫控制和业务逻辑
B.由EPC提供高质量的分组域承载
C.连续覆盖前VoLTE可通过eSRVCC保障呼叫连续性
D.连续要盖前VOLE可通过SRCC保障呼叫间隔性
A.TCP建立时延是TCPSYN到TCPSYNACK的时延
B.TCP建立时延是TCPSYN到TCPACK的时延
C.TCP建立时延是TCPSYNACK到TCPACK的时延
D.TCP建立时延是TCPACK到TCPSYNACK的时延
A.附着时延
B.SRVCC切换成功率
C.始呼接通时延
D.SRVCC切换时延
A.需更深的覆盖：弱覆盖场景容易发生BSRVCC，导致VOLTE接通失败
B.需更低的干扰要求：由于TDD-LTE是上行受限系统，上行比下行更容易丢包，上行干扰对语音业务影响远大于数据业务
C.需更顺畅的切换：控制过覆盖，并减少频繁切换，降低切换次数，减少RRC重建次数
D.需降低eSRVCC切换门限，尽量留在4G网络
