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[单选题]

以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是()。

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

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第1题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第2题
水处理工艺中三卤甲烷的形成原因:()。

A.GAC炭床耗尽

B.与炭床接触时间-EBCT不足

C.沟流;反洗时间不足和蒸缸不当

D.原水质量改变

E.氯使用量增加

F.不恰当的药剂添加比例

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第3题
尿液管型是在肾小管和集合管腔中形成的圆管状体。出现于各种原因所致肾小管损伤时A.蜡样管型B.红

尿液管型是在肾小管和集合管腔中形成的圆管状体。出现于各种原因所致肾小管损伤时

A.蜡样管型

B.红细胞管型

C.白细胞管型

D.上皮细胞管型

E.混合细胞管型

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第4题
以下所列各项哪几项是形成软壳蛋的原因()?

A.种鸡日粮中维生素不足

B.抓鸡、接种疫苗等强烈反应

C.输卵管发生逆向蠕动

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第5题
以下各项中不是慢性肺心病的心电图表现是A.电轴右偏B.Sv1+Rv5≥1.5mVC.肺型P波D.V1和V2导联出现QS

以下各项中不是慢性肺心病的心电图表现是

A.电轴右偏

B.Sv1+Rv5≥1.5mV

C.肺型P波

D.V1和V2导联出现QS波

E.右束支传导阻滞

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第6题
以下各项中不是慢性肺心病心电图表现是A.电轴右偏B.SVl+RVs≥1.05mVC.V1和V2导联出现QS波D.肺型P

以下各项中不是慢性肺心病心电图表现是

A.电轴右偏

B.SVl+RVs≥1.05mV

C.V1和V2导联出现QS波

D.肺型P波

E.右束支传导阻滞

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第7题
以下各项中不是慢性肺心病的心电图表现是A.电轴右偏B.SV1+RV5≥1.5mVC.V1和V2导联出现QS波D.肺型P

以下各项中不是慢性肺心病的心电图表现是

A.电轴右偏

B.SV1+RV5≥1.5mV

C.V1和V2导联出现QS波

D.肺型P波

E.右束支传导阻滞

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第8题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。

A.半导体表面反型时,空间电荷区宽度达到最大值

B.空间电荷区宽度最大时,强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C.空间电荷区宽度达到最大值后,表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D.对于n型,外加电压VG>0并逐渐增大时,空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第9题
下列各项,不是形成肝风内动原因的是

A、邪热亢盛

B、肝阴亏虚

C、肝阳亢逆

D、肝郁化火

E、肝血不足

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第10题
下列各项不是隐形义齿灌注不足的原因的是A、蜡型基托卡环过薄B、蜡型腔内有异物阻塞C、总铸道与分铸

下列各项不是隐形义齿灌注不足的原因的是

A、蜡型基托卡环过薄

B、蜡型腔内有异物阻塞

C、总铸道与分铸道安插不合理

D、材料熔化不彻底

E、基托过厚

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第11题
下列哪项不是管型形成的必要条件A.T-H蛋白浓度增高B.尿液浓缩C.肾小管内环境碱化D.交替使用的’肾

下列哪项不是管型形成的必要条件

A.T-H蛋白浓度增高

B.尿液浓缩

C.肾小管内环境碱化

D.交替使用的’肾单位

E.肾小管内环境酸化

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