自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
A.绩效计划
B.绩效目标
C.政策绩效评估
D.政府绩效评估
除气、氧化的方法是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
除气、氧化的目的是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
用釉粉上釉的烧结温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面