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号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri。
电路。
(2)vN是振幅为2V的正弦波时，绘出vN和v0的波形，并标出幅值。(3)vN为正弦波时，v0的波形与图题3.4.3的vL波形相同，但与图题3.4.3电路相比，本题电路有什么优缺点？
一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：
(1) 它是N沟道还是P沟道的FET？
(2) 它的夹断电压Vp和饱和漏极电流IDSS各是多少？
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
欧。场效应管的gm=11.3mS，rds=50千欧。试求源极跟随器的源电压增益Ars=v0/vs、输入电阻R1和输出电阻R0。
绘出vo(t)的波形。使用恒压降模型(VD=0.7 V)，设二极管是理想的。
