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[主观题]

A. Ln(1—Mt/M00)=-kt B. Mt/M00=Kt1/2 C. Mt/M00=Kt D. Mt/M00=K1tn+K2t2n E. Mt/M00=Kt0.45表示

A. Ln(1—Mt/M00)=-kt

B. Mt/M00=Kt1/2

C. Mt/M00=Kt

D. Mt/M00=K1tn+K2t2n

E. Mt/M00=Kt0.45

表示权重残差平方和的公式 ()

表示残差平方和的公式 ()

拟合度罚判断房室模型的公式 ()

表示残差和的公式 ()

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第1题
A. Ln(1—Mt/M00)=-kt B. Mt/M00=Kt1/2 C. Mt/M00=Kt D. Mt/M00=K1tn+K2t2n E. Mt/M00=Kt0.45进行

A. Ln(1—Mt/M00)=-kt

B. Mt/M00=Kt1/2

C. Mt/M00=Kt

D. Mt/M00=K1tn+K2t2n

E. Mt/M00=Kt0.45

进行缓(控)释制剂的释放曲线拟合时一级方程为()

进行缓(控)释制剂的释放曲线拟合时零级方程为()

进行缓(控)释制剂的释放曲线拟合时Higuchi方程为()

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第2题
数学模型MT/M∞=Kt代表哪种释药方程()。 A.零级释药方程B.一级释药方程C.二级释药方程

数学模型MT/M∞=Kt代表哪种释药方程()。

A.零级释药方程

B.一级释药方程

C.二级释药方程

D.Higuchi释药方程

E.Weibull分布函数

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第3题
题进行缓控释制剂的释放曲线的拟合时,一级释药方程是:A.1n[1一Mt/M。)=一ktB.Mt/M。=一kt

题进行缓控释制剂的释放曲线的拟合时,一级释药方程是:

A.1n[1一Mt/M。)=一kt

B.Mt/M。=一kt1/2

C.Mt/M。=kt

D.MtM。=k1t“+k2t2n

E.Mt/M。=kt0?45

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第4题
进行缓控制剂的释放曲线拟合时,Higuchi释药方程为

A.1n[1一Mt/M。)=一kt

B.Mt/M。=一kt1/2

C.Mt/M。=kt

D.MtM。=k1t“+k2t2n

E.Mt/M。=kt0?45

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第5题
进行缓控释制剂的释放曲线的拟合时,零级释药方程是:A.1n[1一Mt/M。)=一ktB.Mt/M。=一kt1/

进行缓控释制剂的释放曲线的拟合时,零级释药方程是:

A.1n[1一Mt/M。)=一kt

B.Mt/M。=一kt1/2

C.Mt/M。=kt

D.MtM。=k1t“+k2t2n

E.Mt/M。=kt0?45

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第6题
可吸人性粉尘是指粒径小于多少μm的粉尘A.粒径<0.4μmB.粒径<1μmC.粒径<2μlnD.粒径<5μmE.粒径<15μm

可吸人性粉尘是指粒径小于多少μm的粉尘

A.粒径<0.4μm

B.粒径<1μm

C.粒径<2μln

D.粒径<5μm

E.粒径<15μm

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第7题
经过点(e2,2),且任一点处切线的斜率为该点横坐标倒数的曲线方程为()

A.ln|x|+1

B.ln|x|

C.ln|x|-1

D.-ln|x|+1

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第8题
ln[2cos(2x)]=()。

A.1

B.0

C.-1

D.不存在

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第9题
∫(1/xlnx)dx=ln|lnx|+C。()
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第10题
IEC61850逻辑设备至少由几个LN构成?()

A.1

B.2

C.3

D.4

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