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[主观题]

氢化非晶硅的禁带宽度可调,含氢量增加,禁带宽度();在非晶硅中掺入Ge元素,其禁带宽度()。

氢化非晶硅的禁带宽度可调,含氢量增加,禁带宽度();在非晶硅中掺入Ge元素,其禁带宽度()。

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第1题
计算硅在-78°C, 27°C, 300°C时的本征费米能级,假定它在禁带中线合理吗?
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第2题
CIS的禁带宽度为(),是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
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第3题
存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失,此损失叫做()。
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第4题
GaAs以及InP的禁带宽度分别为();(),与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。
GaAs以及InP的禁带宽度分别为();(),与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。

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第5题
关于本征吸收,以下说法正确的是?()

A.是电子从价带到导带的跃迁,产生电子-空穴对

B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度

C.是电子从导带到价带的跃迁,并伴随发射光子能量

D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度

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第6题
锑化铟的禁带宽度Eg=0. 18eV,相对介电常数εr=17,电子的有效质量mn+= 0. 015m, m0为电子的惯性质量,求①施主杂质的电离能,②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

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第7题
在一定温度下,以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是()。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

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第8题
下列哪种药为气管哮喘的禁用药A.肾上腺素B.氢化可的松C.青霉素D.氨茶碱E.吗啡

下列哪种药为气管哮喘的禁用药

A.肾上腺素

B.氢化可的松

C.青霉素

D.氨茶碱

E.吗啡

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第9题
下列哪种药物禁用于支气管哮喘发作A、普萘洛尔(心得安)B、氢化可的松C、肾上腺素D、异丙肾上腺素E、氨

下列哪种药物禁用于支气管哮喘发作

A、普萘洛尔(心得安)

B、氢化可的松

C、肾上腺素

D、异丙肾上腺素

E、氨茶碱

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第10题
‎以下哪项不是制备核壳结构的半导体量子点的必要条件?()‌

A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大

B.对于壳层采用半导体晶体修饰时,两种半导体材料的晶格常数要相匹配,以减少界面张力

C.一定要缓慢滴加前驱体溶液

D.核层的半导体量子点必须具有窄的尺寸分布

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第11题
下列关于DR的叙述正确的是()。

A.非晶硅型FPD外形类似X线胶片的暗盒,是一种半导体探测器

B.非晶硒型平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成

C.非晶硅平板探测器的探测元阵列的作用是捕获可见荧光并转换成电信号

D.非晶硅平板探测器中使用的碘化铯晶体的X射线吸收系数是X射线能量的函数

E.非晶硒导电特性是在处于普通日光照射下是绝缘体,在X线照射下会有导电现象,且导电率随X线强度的增加而增加

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