如果结果不匹配，请 
更多“PN结就是在P型和N型的交界处形成的一个具有特殊性质的区域。…”相关的问题
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用，而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响，而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用
三相笼型异步电动机数据如下; UN= 380V,△接法,fN= 50Hz, PN= 17kW,
r1=
机械损耗
=139W, 附加损耗p△ =323W ,试求额定负载时的转差率。
A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
B.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
（135～136题共用备选答案）
A．肺大泡
B．肺脓肿
C．浸润型肺结核空洞形成
D．慢性纤维空洞型肺结核
E.周围型肺癌空洞形成
135.X线下见右上肺有多发的厚壁空洞，周围有较广泛的纤维条索影。应首先考虑的是
136．X线下见右下肺出现大片的浓密阴影，其内见一个含有液平面的圆形空洞，洞内壁光整，洞壁较厚。应首先考虑的是
A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触
B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
（137～138题共用备选答案）
A．肺大泡
B．肺脓肿
C．浸润型肺结核空洞形成
D．慢性纤维空洞型肺结核
E．周围型肺癌空洞形成
137．X线下见右上肺有多发的厚壁空洞，周围
光整，洞壁较厚．应首先考虑
138．X线下见右下肺出现大片的浓密阴影，其内见一个含有液平面的圆形空洞，洞内壁有较广泛的纤维条索影．应首先考虑
