如果结果不匹配，请 
更多“硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是()，离()近。”相关的问题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差
B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体
C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体
D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体
A.环上5位两个取代基的总碳数以4-8为宜
B.氮原子上引入甲基，可增加脂溶性
C.用硫原子代替环中2位的氧原子，药物作用时间延长
D.两个氮原子上都引入甲基，会导致惊厥
E.环上5位取代基的结构会影响作用时间
A.环上5位两个取代基的总碳数以4～8为宜
B.氮原子上引入甲基，可增加脂溶性
C.用硫原子代替环中2位的氧原子，药物作用时间延长
D.两个氮原子上都引入甲基，会导致惊厥
E.环上5位取代基的结构会影响作用时间
某新型超导晶体由镁、镍和碳三种元素组成，镁原子和镍原子一起作面心立方最密堆积，形成有序结构(即无统计原子)。结构中有两种八面体空隙，一种完全由镍原子构成，另一种由镍原子和镁原子共同构成，两种八面体的数量比为1：3，碳原子只填充在由镍原子构成的八面体空隙中。
(1)推断该晶体的结构，并画出该晶体的一个正当晶胞，写出原子在晶胞中的坐标位置;
(2)写出该新型超导晶体的化学式;
(3)指出该晶体的空间点阵型式;
(4)写出两种八面体空隙中心的坐标参数。
A.环上5位两个取代基的总碳数以4～8为宜
B.氮原子上引入甲基，可增加脂溶性
C.用硫原子代替环中2位的氧原子，药物作用时间延长
D.两个氮原子上都引入甲基，会导致惊厥
E.环上5位取代基的结构会影响作用时间
