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[多选题]

在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()

A.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触

B.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触

C.金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触

D.金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触

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第1题
以下关于载流子运动的描述正确的是()。
A、载流子在电场作用下作漂移运动

B、载流子在浓度梯度作用下作扩散运动

C、迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度

D、扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度

E、爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系

F、只有载流子的漂移运动会形成电流,载流子的扩散运动不形成电流

G、载流子的扩散运动也是定向运动,也会形成电流

H、在均匀半导体中,如果没有产生非平衡载流子,则不存在载流子的扩散运动

I、在均匀半导体中,如果在材料的局部区域产生非平衡载流子,则非平衡载流子作扩散运动

J、非均匀半导体中,没有外加电场时,如果没有产生非平衡载流子,则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动

K、在电场作用下,材料中所有的载流子都作漂移运动

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第2题
下列有关烤瓷金属内冠除气的说法,正确的是

A.除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体,并形成氧化膜

B.贵金属需在半真空下加热10~15分钟即可

C.非贵金属需在半真空下加热5分钟即可

D.理想的氧层厚度是0.2~2μm

E.氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系

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第3题
根管长度电测法在下列情况下易发生误差,除外A、髓腔内腐质未去净B、髓腔内有金属充填物C、根管内有

根管长度电测法在下列情况下易发生误差,除外

A、髓腔内腐质未去净

B、髓腔内有金属充填物

C、根管内有脓血液

D、根尖尚未形成

E、根管有穿孔

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第4题
金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在平行于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。()

此题为判断题(对,错)。

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第5题
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

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第6题
关于固定义齿接触式桥体的龈面,下列哪项描述正确?()A、最理想的材料是高度抛光的金属B、金瓷结合

关于固定义齿接触式桥体的龈面,下列哪项描述正确?()

A、最理想的材料是高度抛光的金属

B、金瓷结合线应设置于牙槽嵴顶位置

C、与缺牙区牙槽嵴舌侧接触面积应尽量减小

D、与缺牙区牙槽嵴接触面积应尽量增大

E、与缺牙区牙槽嵴应形成紧压接触

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第7题
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第8题
在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体,加入()元素可形成P型半导体.

A.五价

B.四价

C.三价

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第9题
热导式气体分析仪的热敏元件主要有半导体敏感元件和金属电阻丝两类。()
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第10题
热电阻是利用金属导体或半导体的()随()变化的特性测量温度的。

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