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题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

THDS-C探测站，光子型红外线元件的基本参数如下表述正确的是（)。

A.响应波长范围为3~5µm

B.响应时间常数小于1µs

C.响应率大于1×10³v/w

D.响应时间常数小于2µs

E.响应波长范围为5~10µm

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第1题

THDS-C探测站,红外轴温探测系统探头温控板是控制（)温度的电路板。

A.热电阻

B.铂电阻

C.碲镉汞光子元件

D.热靶

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第2题

THDS-C探测站中光子探头元件温度异常可能产生的原因是（)。

A.热靶温控板故障

B.前放板故障

C.IO卡故障

D.制冷控制板故障

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第3题

THDS-C探测站标准配置下探头位置是（)。

A.内光子、外热敏

B.内热敏、外光子

C.双热敏

D.双光子

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第4题

THDS-C探测站,光子探头元温异常，会造成热靶曲线（)。

A.异常

B.正常

C.正确

D.良好

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第5题

THDS-C探测站光子自适应系统故障提示热靶起始温度异常，可能的原因是热靶温度为-20度。（)

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第6题

THDS-C探测站光子探头制冷电压由（)提供。

A.加热电源板

B.板用电源板

C.探头电源板

D.制冷电源板

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第7题

THDS-C探测站系统光子探头静态轴温正常值是0V±0.3V。（)

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第8题

THDS-C探测站制冷控制板的作用是为2路光子探头的工作提供加热电压。（)

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第9题

THDS-C探测站中制冷控制板手动调整制冷后，元件制冷电流大约为800mA。（)

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第10题

THDS-C探测站,红外轴温探测系统制冷电流最大值为0.95A，制冷电流过高或过低会影响元件制冷温度的（)。

A.深度

B.宽度

C.广度

D.大度

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第11题

THDS-C探测站,红外轴温探测系统单侧元件温度接近环温时，可能是（)造成的。

A.前放板

B.探头

C.AD采集卡

D.电源板

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