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更多“本征半导体在外加电压作用下会产生空穴电流和自由电子电流，两种…”相关的问题
A.空穴，正极，电子，负极
B.空穴，负极，电子，正极
C.电子，正极，空穴，负极
D.电子，负极，空穴，正极
B、载流子在浓度梯度作用下作扩散运动
C、迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度
D、扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度
E、爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系
F、只有载流子的漂移运动会形成电流，载流子的扩散运动不形成电流
G、载流子的扩散运动也是定向运动，也会形成电流
H、在均匀半导体中，如果没有产生非平衡载流子，则不存在载流子的扩散运动
I、在均匀半导体中，如果在材料的局部区域产生非平衡载流子，则非平衡载流子作扩散运动
J、非均匀半导体中，没有外加电场时，如果没有产生非平衡载流子，则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动
K、在电场作用下，材料中所有的载流子都作漂移运动
A.半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值
B.空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场
C.空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化
D.对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值
B、除本征光电导外，光照也能使束缚在杂质能级上的电子或空穴受激电离产生杂质光电导，但杂质光电导与本征光电导相比较是非常小的
C、在实际的半导体材料中，存在有大量的陷阱，光注入的少数载流子基本上全部被陷阱俘获，因此，只有光注入的多数载流子才对光电导有贡献
D、小注入时的光电导为线性光电导
E、大注入时的光电导为抛物线型光电导
F、通常把小注入时的非平衡载流子的寿命称为弛豫时间
G、弛豫时间越长，光电导的灵敏度越高。但弛豫时间越长，对光信号反应越慢。因此，既要灵敏度高，又要反应快，这是矛盾的
