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[判断题]

两个PN结均为正偏时，晶体管工作在饱和状态;两个PN结均为反偏时，晶体管工作在截止状态。（)

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更多“两个PN结均为正偏时，晶体管工作在饱和状态;两个PN结均为反…”相关的问题

第1题

三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（)。

A.发射结、集电结皆正偏

B.发射结、集电结皆反偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

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第2题

要使晶体管工作在放大区，两个PN结的偏置必须满足（）和（）；某工作在放大区的某晶体管，当Ib从20微安增大到40微安时，Ic从1毫安变成2毫安。则它的β约为（）。

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第3题

结型场效应管工作时，栅一源电压必须使PN结正偏。（)

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第4题

当晶体管工作于饱和状态时，其（)。

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结反偏，集电结反偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

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第5题

晶体管能够放大的内部条件是（)。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第6题

双极型晶体管工作在线性区时可做开关使用，工作在饱和区时可做放大使用。（)

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第7题

固体半导体摄像元件CCD是一种（)。

A.PN结光电二极管电路

B.PNP型晶体管集成电路

C.MOS型电容阵列

D.NPN型晶体管集成电路

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第8题

晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（)。

A.发射结反偏，集电结正偏

B.发射结、集电结均反偏

C.发射结、集电结均正偏

D.发射结正偏、集电结反偏

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第9题

集成温度传感器的测温原理是基于晶体管的PN结随（)变化而产生漂移现象研制的。

A.温度

B.电压

C.压力

D.湿度

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第10题

以下哪种情况需要金属和半导体间形成欧姆接触？（)

A.给半导体器件接出金属引线

B.制作肖特基势垒二极管

C.制作PN结二极管

D.制作晶体管

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第11题

放大器未加变化电压信号时的工作状态叫做静态，为了使放大器能够正常工作，在静态时晶体三极管的（)发射结必须处于正向偏置，集电结必须处于反向偏置。

A.PN结

B.基极

C.发射结

D.发射极

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