金属的熔点高于瓷烧结温度是为了
A、有利于金瓷的化学结合
B、防止金属基底变形
C、防止瓷粉烧结后崩裂
D、有利于瓷粉的冷却
E、使瓷烧结后产生压应力
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
用釉粉上釉的烧结温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
除气、氧化的方法是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
除气、氧化的目的是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
B、前者低于后者
C、前者高于后者
D、前者明显低于后者
E、前者明显高于后者
烤瓷材料与金属的热膨胀系数应A、两者应完全一致
B、前者稍稍大于后者
C、前者稍稍小于后者
D、前者明显大于后者
E、前者明显小于后者
烤瓷材料与金属结合界面应保持良好的润湿状态,要求A、金属表面极度清洁
B、金属表面勿需光滑
C、金属表面尽量粗糙
D、金属表面一般清洁
E、金属表面勿需清洁
烤瓷合金的熔点应高于瓷烧结温度为
A、50~100℃
B、170~270℃
C、400℃以上
D、110~150℃
E、280~370℃
B、前者低于后者
C、前者明显低于后者
D、前者高于后者
E、前者明显高于后者
烤瓷材料与金属结合界面应保持良好的润湿状态,要求A、金属表面极度清洁
B、金属表面尽量清洁
C、金属表面需清洁
D、金属表面勿需清洁
E、金属表面一般清洁
烤瓷材料与金属的热膨胀系数应A、两者应完全一致
B、前者稍稍小于后者
C、前者明显小于后者
D、前者稍稍大于后者
E、前者明显大于后者
在瓷熔附金属时,其金瓷匹配是十分关键的。烤瓷材料与金属的热膨胀系数应A、完全一致
B、前者稍稍小于后者
C、前者稍稍大于后者
D、前者明显小于后者
E、前者明显大于后者
烤瓷材料的烧结温度与金属的熔点的关系是A、两者相同
B、前者稍稍高于后者
C、前者稍稍低于后者
D、前者明显高于后者
E、前者明显低于后者
以下各项不是获得良好的金一瓷结合界面湿润性的方法的是A、金属表面清洁
B、金属表面光滑
C、烤瓷熔融时流动性好
D、加入微量非贵金属元素
E、金属表面干燥