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更多“金属基底冠要顺同一个方向打磨的目的是A．便于操作B．放置磨料…”相关的问题
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A、便于操作
B、防止磨料成分污染金属表面
C、形成较规则的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
D、利于形成氧化膜
E、防止金属表面变色
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是为了()。
A、便于操作
B、防止磨料成分污染金属表面
C、形成较规则的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
D、利于形成氧化膜
E、防止金属表面变色
A、先由颈端向切端，再由切端向颈部
B、先由切端向颈部，再由颈部向切端
C、先顺长轴，后绕牙长轴
D、先绕牙长轴，后绕恒牙长轴
E、不管顺序，只需注意顺同一方向打磨即可
多方向打磨金属基底冠金-瓷结合面，易导致
A、金属基底变形
B、瓷层变色
C、瓷层气泡
D、瓷层断裂
E、底冠破损
与烤瓷冠桥不透明层有气泡无关的因素是
A．烤瓷合金多次重复使用
B．基底冠表面多方向打磨
C．使用不正确的金刚砂车针打磨基底冠
D．铸道按插不正确
E．遮色瓷层过薄
与烤瓷冠桥不透明层有气泡无关的因素是
A．烤瓷合金多次重复使用
B．基底冠老面多方向打磨
C．使用不正确的金刚砂车针打磨基底冠
D．铸道安插不正确
E．遮色瓷层过薄
PFM冠金属基底上瓷前用橡皮轮打磨可引起
A.PFM冠金属基底变形，冠边缘不密合
B.PFM冠变色
C.PFM冠瓷裂
D.PFM冠金属基底不能产生均一厚度的氧化膜
E.PFM冠透明度下降
通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作不能达到的目的是
A．去除金属表面有机物
B．释放金属表层气体
C．释放金属内部应力
D．在金属表面形成氧化膜
E．降低金属热膨胀系数
技师制作贵金属烤瓷全冠，其金属基底冠打磨完成喷砂粗化时应选用
A．50～100μm氧化铝砂
B．35～50μm氧化铝砂
C．50～100μm石英砂
D．35～50μm石英砂
E．150～200μm氧化铝砂
