A.缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大
B.漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
C.漏磁场的大小与缺陷的深度比有关
D.工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
A.漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关
B.漏磁场的大小与磁化场大小无关
C.缺陷平行于漏磁场时的漏磁场最小
D.缺陷离工件表面越近其满磁场越大
A.在非漏磁场的作用下产生的磁痕,一般称为假磁痕
B.便面裂纹所形成的磁痕一般是很清晰而明显的
C.由于被磁化的试件相互接触造成的局部磁场畸变而产生的磁痕称为磁泻
D.其它三项所述均包括
A.电感元件是体现电场能量的二端元件
B.电感元件是体现磁场能量的二端元件,简称电感
C.电感的单位是亨利,用H表示
D.lH=103mH=106tiH
E.电感也可用毫亨、微亨表示
下列关于胎漏的叙述中不正确的是
A.下腹酸坠、疼痛
B.阴道出血
C.查尿hCG()
D.有早孕反应
E.B超:宫内早孕
下列关于退磁场的叙述,正确的是:()
A.施加的外磁场越大,退磁场就越大
B.试件磁化时,如不产生磁极,就不会产生退磁场
C.试件的长径比越大,则退磁场越小
D.以上都是
A.发病急骤,暴下如注,大量出血者为“崩”
B.病势缓,出血量少,淋漓不绝者为“漏”
C.有关崩漏病证的记载,最早见于《黄帝内经》
D.“塞流、澄源、复旧”合称“治崩三法”
E.崩漏病变涉及冲、任二脉及肝、脾、肾三脏,证候有虚有实