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更多“烤瓷冠桥采用的瓷粉是A、超低熔瓷粉B、低熔瓷粉C、中熔瓷粉D…”相关的问题
B、低熔瓷粉
C、中熔瓷粉
D、铸造陶瓷
E、以上都不是
若在制作PFM冠桥时使用低熔瓷粉，其熔点是A、800～871℃
B、1065～1150℃
C、871～1065℃
D、1150～1250℃
E、>1250℃
烤瓷合金的熔点必须高于瓷粉熔点A、50～80℃
B、170～270℃
C、>350℃
D、80～170℃
E、270～350℃
B、低熔瓷粉
C、中熔瓷粉
D、铸造陶瓷
E、以上都不是
烤瓷合金的熔点必须高于瓷粉熔点A、50～80℃
B、170～270℃
C、＞350℃
D、80～170℃
E、270～350℃
若在制作PFM冠桥时使用低熔瓷粉，其熔点是A、800～871℃
B、1 065～1 150℃
C、871～1 065℃
D、1 150～1 250℃
E、＞1 250℃
在真空炉内烧结而成的PFM修复体的原材料是
A、高熔瓷粉与镍铬合金
B、中熔瓷粉与烤瓷合金
C、低熔瓷粉与中熔合金
D、低熔瓷粉与烤瓷合金
E、低熔瓷粉与金合全
PFM修复体是由下列哪一项在真空炉内烧结而成的修复体？()
A、高熔瓷粉与镍铬合金
B、中熔瓷粉与烤瓷合金
C、低熔瓷粉与中熔合金
D、低熔瓷粉与烤瓷合金
E、低熔瓷粉与金合金
金-瓷界面残余应力造成修复体破坏的主要因素是
A．烤瓷合金与瓷粉在烤炉内冷却到室温时，永久保留在材料内部和界面的应力
B．烤瓷合金与瓷粉之间的热膨胀系数的匹配
C．烤瓷冠烧结次数
D．烤瓷冠在烤瓷炉内的升温速率
E．金属内冠铸造时熔金时间的长、短
低熔烤瓷瓷粉熔点为
A、800～860℃
B、871～1065℃
C、1100～1250℃
D、1200～1300℃
E、1300～1500℃
与烤瓷冠桥牙本质和切端层中出现气泡无关的因素是
A．在瓷粉混合时有杂质
B．烧烤时升温速度过快，抽真空速率过慢
C．不透明层有气泡
D．牙本质层瓷层过厚
E．烤瓷炉密封圈处有异物，影响真空度
目前，用于烤瓷修复中的低熔瓷粉熔点的范围为
A、820～870℃
B、871～1 065℃
C、1 070～1 090℃
D、1 091～1 120℃
E、1 210～1 250℃
以下关于烤瓷熔附金属全冠中合金与瓷粉的要求中不正确的是()。
A、良好的生物相容性
B、瓷粉与烤瓷合金的热膨胀系数可以存在较大差异
C、两者可产生化学性结合
D、合金熔点大于瓷粉
E、有良好的强度
