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更多“关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有()”相关的问题
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.顶针孔位置是否位于芯片中心
B.顶针孔是否有顶破兰膜，造成兰膜缺损
C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致
D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留
E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象
A.卸下的旧吸嘴可以在清洗后继续使用
B.卸下的旧顶针必须报废处理
C.粘片胶过期后必须回收，不能继续使用
D.报废框架无变形异常的可用来继续调机使用
A.检查中要注意看证件上的有关项目是否有涂改的痕迹
B.检查中要注意发现冒名顶替的情况，注意观察持证人外貌特征是否与证件照片相符
C.验证中要注意发现礼遇对象
D.验证中发现疑点时，要慎重处理，及时报告
