如果结果不匹配，请 
更多“室温时，P型半导体的霍耳系数为()。【填写“正”或“负”】”相关的问题
A.金属和n型半导体接触，Wm＞Ws
B.金属和n型半导体接触，Wm＜Ws
C.金属和p型半导体接触，Wm＞Ws
D.金属和p型半导体接触，Wm＜Ws
A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触
B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
B.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
A.易于进行腐蚀加工
B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料
D.易于进行n型和p型掺杂
