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题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

造成上芯粘取墨点芯片的原因有（)。

A.WaferPR设置不当

B.DISPPR设置不当

C.芯片来料异常

D.BondPR设置异常

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第1题

上芯若发现有（)的不良品，打叉时必须把芯片涂黑

A.沾污

B.芯片压伤划伤

C.芯片光刻不足

D.粘墨点片

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第2题

下列属于上芯造成的产品异常的是（)。

A.粘墨点

B.划偏

C.晶圆碎裂

D.墨点脱落

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第3题

下列异常属于上芯造成的是（)

A.粘兰膜

B.银浆沾污

C.断丝

D.背银脱落

E.粘墨点

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第4题

上芯晶圆上墨点芯片的打点直径不得小于()um

上芯晶圆上墨点芯片的打点直径不得小于（)um

A、100

B、200

C、300

D、400

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第5题

以下异常可通过45X显微镜发现的有（)

A.崩单晶

B.银浆沾污

C.粘边缘片

D.芯片压伤

E.粘墨点

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第6题

关于上芯顶针痕迹监控项目，描述错误的有：（)。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第7题

上芯的三大原材料是什么（)。

A.晶圆

B.芯片

C.粘片胶

D.引线框架

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第8题

墨点芯片上的墨点应为()色

墨点芯片上的墨点应为（)色

A、红

B、黑

C、蓝

D、紫

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第9题

上芯后兰膜检查项目有（)。

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.顶针孔是否有顶破兰膜，造成兰膜缺损

C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象

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第10题

造成上芯卡料的原因有（)

A.出料位置调试不当

B.料盒变形

C.抽检产品后放置不到位

D.框架变形

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第11题

造成材料用错的原因有（)。

A.来料时标签错误

B.上芯收尾后零散框架打包时将规格写错

C.看单作业执行不到位

D.客户指令异常

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