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更多“50～100p；micro；m的氧化铝主要用于（)。A、贵金…”相关的问题
去净铸件表面包埋材料所用的氧化铝直径是
A．80～100μm
B．35～50μm
C．0.2～2μm
D．50～100μm
E．0.5～3μm
技师制作贵金属烤瓷全冠，其金属基底冠打磨完成喷砂粗化时应选用
A．50～100μm氧化铝砂
B．35～50μm氧化铝砂
C．50～100μm石英砂
D．35～50μm石英砂
E．150～200μm氧化铝砂
打磨后贵金属基底冠的表面喷砂粗化应选用的氧化铝直径是
A．80～100μm
B．35～50μm
C．0.2～2μm
D．50～100μm
E．0.5～3μm
贵金属烤瓷金属基底冠桥，用何种氧化铝砂作喷砂处理
A、15～25μm
B、25～35μm
C、35～50μm
D、50～100μm
E、100～120μm
金属基底冠桥粗化处理时，用何种氧化铝砂喷砂处理
A、15～25μm
B、25～35μm
C、35～50μm
D、50～100μm
E、100～120μm
50～100μm的氧化铝主要用于
A、贵金属基底冠的粗化
B、半贵金属基底冠的粗化
C、非贵金属基底冠的粗化
D、去除铸件表面的包埋料
E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜
B、3～4μm
C、5～6μm
D、7～8μm
E、9～10μm
4321|1234从修复效果考虑，烤瓷合金选用哪种最佳A、贵金属
B、半贵金属
C、非贵金属
D、钯银合金
E、银合金
粗化此种金属基底冠的表面的氧化铝粒度为A、20～30μm
B、35～50μm
C、55～70μm
D、75～90μm
E、95～110μm
打磨此种基底冠时，应采用哪种磨头A、氧化铝车针
B、氧化硅车针
C、碳化硅车针
D、金刚砂车针
E、钨钢车针
A.ESP32芯片是集成2.4GHzW-F和蓝牙双模的单芯片
B.RaspberryPi（树毒派）的不同型号使用过的CPU有ARM76
C.ARMCortex-A7.ARMCortex-aARMCortexaA72
D.Micro:bit是由BBC公司推出的微型计算机，其核心是nRF51822S0c,基于ARMCortexM0微控制器
E.ArduinoUNO控制器中的AMEga328P单片机工作频率、Fash（M）、M等参数来说，性能全面强于EP32
B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形
D、禁止使用橡皮轮磨光
E、用50～100μm的氧化铝喷砂
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm
