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[判断题]

当元件金属温度低于0℃时,其值不得高于元件金属可能达到的温度。()

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第1题
当元件金属温度低于0℃时,其值()

A.不得高于元件金属可能达到的最低温度

B.高于元件金属可能达到的最低温度

C.等于元件金属可能达到的最低温度

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第2题
当烤瓷与金属熔附时,瓷应具有A、高熔附温度B、高熔附膨胀C、热膨胀率接近并低于金属D、热膨胀率接近

当烤瓷与金属熔附时,瓷应具有

A、高熔附温度

B、高熔附膨胀

C、热膨胀率接近并低于金属

D、热膨胀率接近并高于金属

E、热膨胀率等于金属

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第3题
在瓷熔附金属时,其金瓷匹配是十分关键的。烤瓷材料与金属的热膨胀系数应A、完全一致B、前者稍稍小于

在瓷熔附金属时,其金瓷匹配是十分关键的。烤瓷材料与金属的热膨胀系数应A、完全一致

B、前者稍稍小于后者

C、前者稍稍大于后者

D、前者明显小于后者

E、前者明显大于后者

烤瓷材料的烧结温度与金属的熔点的关系是A、两者相同

B、前者稍稍高于后者

C、前者稍稍低于后者

D、前者明显高于后者

E、前者明显低于后者

以下各项不是获得良好的金一瓷结合界面湿润性的方法的是A、金属表面清洁

B、金属表面光滑

C、烤瓷熔融时流动性好

D、加入微量非贵金属元素

E、金属表面干燥

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第4题
在瓷熔附金属时,其金瓷匹配是十分关键的。烤瓷材料与金属的热膨胀系数应()。A、完全一致B、前者稍

在瓷熔附金属时,其金瓷匹配是十分关键的。烤瓷材料与金属的热膨胀系数应()。A、完全一致

B、前者稍稍小于后者

C、前者稍稍大于后者

D、前者明显小于后者

E、前者明显大于后者

烤瓷材料的烧结温度与金属的熔点的关系是()。A、两者相同

B、前者稍稍高于后者

C、前者稍稍低于后者

D、前者明显高于后者

E、前者明显低于后者

以下不是获得良好的金瓷结合界面润湿性方法的是()。A、金属表面清洁

B、金属表面光滑

C、烤瓷熔融时流动性好

D、加入微量非贵金属元素

E、金属表面干燥

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第5题
在瓷熔附金属时,其金瓷匹配是十分关键的,其主要涉及的因素包括烤瓷材料的烧结温度与金属的熔点的
关系是A、两者相同

B、前者低于后者

C、前者高于后者

D、前者明显低于后者

E、前者明显高于后者

烤瓷材料与金属的热膨胀系数应A、两者应完全一致

B、前者稍稍大于后者

C、前者稍稍小于后者

D、前者明显大于后者

E、前者明显小于后者

烤瓷材料与金属结合界面应保持良好的润湿状态,要求A、金属表面极度清洁

B、金属表面勿需光滑

C、金属表面尽量粗糙

D、金属表面一般清洁

E、金属表面勿需清洁

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第6题
在瓷熔附金属时,其金瓷匹配是十分关键的,其主要涉及因素包括。烤瓷材料的烧结温度与金属的熔点的
关系是A、两者相同

B、前者低于后者

C、前者明显低于后者

D、前者高于后者

E、前者明显高于后者

烤瓷材料与金属结合界面应保持良好的润湿状态,要求A、金属表面极度清洁

B、金属表面尽量清洁

C、金属表面需清洁

D、金属表面勿需清洁

E、金属表面一般清洁

烤瓷材料与金属的热膨胀系数应A、两者应完全一致

B、前者稍稍小于后者

C、前者明显小于后者

D、前者稍稍大于后者

E、前者明显大于后者

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第7题
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔

金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

A.低于体瓷烧结温度6~8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

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第8题
当储藏温度低于-20℃或高于60℃时,均不会发生淀粉老化现象。()
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第9题
容器使用温度低于()时,不得选用Q235系列钢板。

A.0℃

B.1℃

C.-1℃

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第10题
对于病案而言,不适宜的库房温度是指A、高于40℃,低于0℃B、高于35℃,低于0℃C、高于30℃,低于-5℃D、高于30

对于病案而言,不适宜的库房温度是指

A、高于40℃,低于0℃

B、高于35℃,低于0℃

C、高于30℃,低于-5℃

D、高于30℃,低于0℃

E、高于35℃,低于-5℃

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第11题
对于病案而言,不适宜的库房温度指的是()。A、高于30℃,低于0℃B、高于40℃,低于0℃C、高于30℃,低于-5℃D

对于病案而言,不适宜的库房温度指的是()。

A、高于30℃,低于0℃

B、高于40℃,低于0℃

C、高于30℃,低于-5℃

D、高于35℃,低于0℃

E、高于35℃,低于-5℃

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