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[主观题]

若在下一离子中运动的π电子可用一维势箱近似表示其运动特征:估计这一势箱的长度l=1.3nm,根据能级

若在下一离子中运动的π电子可用一维势箱近似表示其运动特征:

若在下一离子中运动的π电子可用一维势箱近似表示其运动特征:估计这一势箱的长度l=1.3nm,根据能级

估计这一势箱的长度l=1.3nm,根据能级公式E=n2h2/8ml2估算π电子跃迁时所吸收的光的波长,并与实验值510.0nm比较。

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第1题
函数是否是一维势箱中粒子的一种可能状态?若是,其能量有无确定值?若有,其值为多少?若无,求其平均

函数是否是一维势箱中粒子的一种可能状态?若是,其能量有无确定值?若有,其值为多少?若无,求其平均值。

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第2题
根据下列条件,回答 143~145 题: 9个月婴儿,近l个月夜惊,睡眠差,多汗,烦躁,运动发育迟,刚会坐,

根据下列条件,回答 143~145 题:

9个月婴儿,近l个月夜惊,睡眠差,多汗,烦躁,运动发育迟,刚会坐,不能爬。体检:前囟大,方颅,有哈氏沟及串珠。

第 143 题 为了确定诊断应做的血化验()。

A.血常规

B.血糖

C.血的酸碱度

D.血离子钾、镁

E.血钙、磷及碱性磷酸酶

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第3题
7岁男孩乳牙dmft多于10,两上颌第一恒磨牙萌出1/3,左下第一恒磨牙窝沟龋。关于年轻恒牙龋病的治疗
哪项不正确A、应以保存活髓为主

B、去腐时应避免不必要的露髓

C、六龄齿深窝沟应早期防治

D、六龄齿涂氨硝酸银可以防龋

E、恒牙深龋可用氢氧化钙再矿化治疗

左下第一恒磨牙近中窝沟牙本质深层龋洞,去腐净。应选何种治疗方法A、备Ⅰ类洞银汞充填

B、垫底后光敏树脂充填,其余行窝沟封闭

C、备Ⅰ类洞垫底后光敏树脂充填

D、安抚

E、窝沟封闭

假如左下第一恒磨牙隐匿性龋去腐露髓,治疗首选A、二次去腐

B、根尖诱导成形术

C、间接盖髓

D、安抚

E、活髓切断

假如此牙去腐未净极近髓,选用何种药物盖髓较好A、聚羧酸水门汀

B、氢氧化钙

C、磷酸锌水门汀

D、氧化锌丁香油粘固粉

E、玻璃离子水门汀

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第4题
7岁男孩两上颌第1恒磨牙萌出1/3,左下第1恒磨牙窝沟龋年轻恒牙龋病治疗上哪项不正确A、应以保存活
髓为主

B、去腐时应避免不必要的露髓

C、六龄齿深窝沟应早期防治

D、六龄齿涂氨硝酸银可以防龋

E、恒牙深龋可用氢氧化钙再矿化治疗

左下第1恒磨牙近中窝沟牙本质深层龋洞,去腐净。选何种治疗方法A、备Ⅰ类洞银汞充填

B、垫底后光固化树脂充填,其余窝沟封闭

C、备Ⅰ类洞垫底后光敏树脂充填

D、安抚

E、窝沟封闭

假如左下第1恒磨牙隐匿性龋去腐露髓,哪种治疗首选A、二次去腐

B、根尖诱导成形术

C、间接盖髓

D、安抚

E、活髓切断

假如此牙去腐未净极近髓选用何种药物盖髓较好A、聚羧酸水门汀

B、氢氧化钙

C、磷酸锌水门汀

D、氧化锌丁香油粘固粉

E、玻璃离子水门汀

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第5题
不属于一维条码特点是()。A、可对码进行错误侦测B、可用图像扫描仪C、密度低D、容量小E、不能纠错

不属于一维条码特点是()。

A、可对码进行错误侦测

B、可用图像扫描仪

C、密度低

D、容量小

E、不能纠错

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第6题
酸性药物在体液中的解离程度可用公式来计算。当pH变动一个单位时,分子型药物与离子型药物比例变动()。

A.1倍

B.2倍

C.10倍

D.100倍

E.1000倍

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第7题
由于宇宙射线、放射线等的作用,使空气中的气体分子失去外层电子而形成A.轻离子B.重离子C.正离子D.

由于宇宙射线、放射线等的作用,使空气中的气体分子失去外层电子而形成

A.轻离子

B.重离子

C.正离子

D.阴离子

E.负氧离子

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第8题
写出Li2+离子的方程,说明该方程中各符号及各项的意义;写出Li2+离子Is态的波函数并计

写出Li2+离子的方程,说明该方程中各符号及各项的意义;写出Li2+离子Is态的波函数并计算:

(1)Is电子径向分布最大值离核的距离;

(2)Is电子离核的平均距离;

(3)Is电子概率密度最大处离核距离;

(4)比较Li2+离子的2s和2p态能量的高低;

(5)Li原子的第一电离能(按Slater屏蔽常数算有效核电荷)

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第9题
下列描述金属离子的作用不正确的是A.参与催化反应,传递电子B.参与酶的催化过程,在反应中传递电子

下列描述金属离子的作用不正确的是

A.参与催化反应,传递电子

B.参与酶的催化过程,在反应中传递电子、质子或一些基团

C.稳定酶的构象

D.中和阴离子,降低反应中的静电斥力等

E.在酶与底物间起桥梁作用

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第10题
上颌乳尖牙的近中和远中出现的间隙称为()A.生长间隙B.灵长间隙C.替牙间隙D.可用间隙

上颌乳尖牙的近中和远中出现的间隙称为()

A.生长间隙

B.灵长间隙

C.替牙间隙

D.可用间隙

E.必须间隙

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第11题
面近龈处嵌体洞形制备,下列错误的是A、一般按箱状洞形制备B、髓壁应达牙本质内C、髓壁应平行D、龈、切

面近龈处嵌体洞形制备,下列错误的是

A、一般按箱状洞形制备

B、髓壁应达牙本质内

C、髓壁应平行

D、龈、切、近中、远中四壁皆应平行于釉柱方向与就位道一致

E、最好在髓壁近远中端牙本质内各做一针道

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