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第1题
目前一般认为烧结温度低于()℃为低温烧结。
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第2题
低温烧结的烧结温度为1200度左右。()
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第3题
关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法,正确的是()。
A.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm
B.机械性的结合力起最大的作用
C.贵金属合金基底冠的厚度为0.2~0.3mm
D.贵金属合金上瓷前需预氧化
E.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度
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第4题
低水低炭厚料层烧结,烧结温度曲线由熔融转变为低温型,烧结最温度控制在1250£1280℃,并保持1100℃以上温度的时间在()以上。
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第5题
低温烧结的温度应控制在()℃
A.1250~1300
B.1250~1400
C.1150~1250
D.1250~1500
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第6题
上釉的烧结温度是()。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体
上釉的烧结温度是()。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
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第7题
PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6~8℃
C、低于体瓷烧结温度10~20℃
D、高于体瓷烧结温度6~8℃
E、高于体瓷烧结温度10~20℃
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第8题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体
若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
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第9题
金属基底冠除气的方法是A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保
金属基底冠除气的方法是
A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
B.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
C.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min
D.高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
E.高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
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第10题
烧结点火温度原则上应低于()而接近()。
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第11题
自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一
自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
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