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更多“关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（)。A.突触后膜对…”相关的问题
A.突触前末梢超极化
B.突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜超极化
E.突触后膜对Na+、 K+的通透性增大
对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
A．突触前轴突末梢超极化
B．对Ca2+、K+通透性增大
C．突触后膜出现超极化
D．突触后膜去极化
E．突触前膜去极化
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A、是局部去极化电位
B、具有"全或无"性质
C、是局部超极化电位
D、由突触前膜递质释放量减少所致
E、是局部去极化电位
A.多由抑制性中间神经元返回的冲动产生
B.Cl-通道开放可降低IPSP
C.IPSP常由乙酰胆碱受体通道传递
D.IPSP使神经元的兴奋性增加
E.神经元产生去极化性抑制
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．Mg2+
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A．K-
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．Mg+
