如果结果不匹配，请 
更多“关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的叙述是()”相关的问题
A.突触前末梢去极化
B.Ca2+由膜内进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。
A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
E.以上都不是
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．Mg2+
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A．K-
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．Mg+
抑制性突触后电位产生的离子机制是
A．Na+内流
B．K+勾流
C．Ca2+内流
D．K+外流
E．C1-内流
抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.Na+内流
B.K+内流
C.Ca2+内流
D.CI-内流
E.K+外流
