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更多“针对甩胶、DAF膜上芯产品，芯片四周可以不出胶。()”相关的问题
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.顶针孔位置是否位于芯片中心
B.顶针孔是否有顶破兰膜，造成兰膜缺损
C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致
D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留
E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象
A.芯片位置调整错误(角度、方向、位置超出压焊图及质量标准要求)
B.上芯设备调试不当
C.因装片胶中有异物等原因导致芯片不平整(平整度大于1mils)
D.引线框架上料未核对方向
E.上芯后产品传递不规范
A.调取MAP时，应由小组生产组长做二次确认
B.加工ELQFP176及VSOP8L产品时，读取MAP必须使用条码扫描读取，不得手动调用
C.在调取MAP后，应核对调出的MAP好芯片数量与中测单中数量一致方可加工
