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A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
B.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触
B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
A.金属材料电子浓度很高，RH很大，UH很小
B.任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件
C.半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)
D.厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米
